الخصائص الکهربائیة لوصلة n-CdSe/Si-p محضرة بتقنیة الترسیب فی الحمام الکیمیائی، من أوزان مختلفة لسیلینوسلفات الصودیوم بمولاریة ثابتة

تم تصنیع وصلة  pn بنجاح من ترسیب أغشیة رقیقة CdSe من النوع n على رکیزة Si  من نوع p. باستخدام تقنیة ترسیب بالحمام الکیمیائی (CBD) عند 70 درجة مئویة. وکان وقت الترسیب 6 ساعات، حیث یتم تغییر محلول التحضیر کل ساعتین أثناء الترسیب. استخدم سیلینوسلفات الصودیوم (بأوزان مختلفة وبمولاریة ثابتة) کمصدر لأیوناتSe-2، ونترات الکادمیوم کمصدر لایوناتCd+2. اظهرت خصائص (التیار–فولتیة) للوصلة المحضرةn-CdSe/p-Si  أنه یتصرف کثنائی زینر عند الانحیاز عکسی للفولتیة المسلطة، مع مقاومة زینر بقیمة ohm (and 27×103 3) لکل حالة. فیما أظهرت نتائج SEM  وجود جزیئات کرویة الشکل ومنها متجمعة معا ککتل دقیقة ونانویة وذات أحجام حبیبات مختلفة nm (3.8 و 19.8).