تأثير تركيز الألمنيوم في الطبقة النافذة على كفاءة خلية p- Ga1-xAlxAs/p-n GaAs الشمسية

القسم: بحث
منشور
Jun 24, 2025
##editor.issues.pages##
144-164

الملخص

هدف هذه الدراسة تقديم طريقة نظرية لحساب كفاءة خلية أرسنيد الكاليوم الشمسية ذات النافذة (والتي تضاف بطريقة التنمية الفوقية وتهدف إلى إزالة العيوب السطحية لتقليل عمليات إعادة الإتحاد) المحتوية على الألمنيوم وتأثير تغيير تركيزه على كفاءة الخلية الشمسية، حيث اعتبرنا أن الطبقة النافذة كطبقة رابعة في مخطط الطاقة للخلية الفوتوفولتائية. ولعدم توفر البيانات عن المتغيرات الضرورية والأساسية لحساب ذلك كمعامل الامتصاص، الكتلة الفعالة للحاملات، معامل الانكسار ..الخ. ولذلك قمنا بحساب كل هذه المتغيرات استنادا إلى بعض المعلومات التجريبية القليلة حول الموضوع باستخدام أسلوب التحليل العددي، حيث حسب معامل الامتصاص ومعامل الانكسار وثابت العزل وفجوة الطاقة والكتلة الفعالة وثوابت وأطوال الانتشار لتركيز الألمنيوم (0 - 45 %) وللأطوال الموجبة المؤثرة ومن ثم استخدام تلك المتغيرات لحساب الكفاءة لأي تركيز للألمنيوم في الطبقة النافذة.

تنزيل هذا الملف

الإحصائيات

كيفية الاقتباس

M. Muneer, H., محمد منير ه., M. Mustafa, B., & محمود مصطفى ب. (2025). تأثير تركيز الألمنيوم في الطبقة النافذة على كفاءة خلية p- Ga1-xAlxAs/p-n GaAs الشمسية. مجلة علوم الرافدين, 19(2), 144–164. https://doi.org/10.33899/rjs.2008.42346