محاکاة لمضخمات أحادیة المرحلة لتطبیقات المیکروویف باستخدام معلمات التشتت

صممت دوائر جدیدة باستخدام ترانزستورات مایکرویف للأنواع BJT وFET باستخدام معلمات S. ونظمت کدوائر مجمعة lumped circuit ثم حولت الى مکافئاتها من الدوائر الشریطیة الموزعة microstrip distributed circuits على قواعد أساس substrate materials ذات النفاذیة عالیة (Alumina, er=9.8) و(Beryllia er=6.3). قورنت نتائج التصامیم مع نتائج دوائر أخرى لها من الظروف نفسها اختبرت سابقا. بینت النتائج ان استخدام التغذیة العکسیة فی تصمیم دائرة BJT أعطت زیادة فی التحصیل 1.5 dB تقریبا عن القیمة فی الدائرة المرجع على مدى ضیق من الترددات بینGHz (0.6-1) ولکن رفعت قیمة الضوضاء الى الضعف، فیما أنجزت الدائرة مع FET تحصیلا بزیادة 7 dB عن تصمیم المرجع على مدى أوسع یصل 2 GHz، مع انخفاضا فی قیمة الضوضاء عن السابقة. نوقشت الخصائص الفیزیائیة بالنسبة لمادة الأساس وتطبقیات الموجات المایکرویة واستنتج ان مواد ذات النفاذیة العالیة تساعد فی رفع التردد العامل وتعطی تحصیلا جیدا ولکن یلاحظ ارتفاعا فی مستوى NF لدوائرBJT اعلى منها لدوائرFET. وکان أداء FET أفضل من أداء BJT لبعض التطبیقات المؤشرة.