تأثير التلدين على الطوبغرافية النانوية لغشاء SiO2

في هذا البحث تمت دراسة تأثير درجة حرارة التَلْدين للمدى من°C300 الى 600°C على الطوبغرافية النانوية لغشاء SiO2. تم أنماء غشاء نانوي من SiO2 على أرضية Si (100) نوع p-type وذلك باستخدام تقنية الأكسدة الانودية وباستعمال محلول(%75H2O+%25 isopropanol) بوجود 0.1N KNO3 كالكتروليت مساعد وجهد مسلط 5 فولت. ولوحظ من التحليل الكيميائي لسطح SiO2 باستخدام (EDAX) وجود عنصر الأوكسجين (O) وعنصر السليكون (Si). تم استخدام تقنية AFM لدراسة الطوبغرافية النانوية لغشاء SiO2 و لوحظ أن كلاً من الخصائص التالية، الطوبغرافية النانوية لغشاءSiO2 ، معدل خشونة، مساحة الحبيبة، حجم الحبيبة وأخيرا طول الحبيبة تزداد مع درجة حرارة التلدين.